Çin merkezli bellek üreticisi CXMT, küresel DRAM pazarında son dönemde hızla yükselen bir oyuncu olarak dikkat çekiyor. Şirket başkanı Cao Kanyu, Yicai’ye yaptığı açıklamada, CXMT’nin ilk 4F² hücre mimarisine sahip ürününün yıl sonuna kadar piyasaya sürüleceğini duyurdu. Bu ürün, sunucu sınıfı bir DDR5 RDIMM modülü olacak.
4F² tasarım, mevcut 6F² hücrelere kıyasla aynı üretim teknolojisinde yaklaşık üçte bir daha küçük bir alan kaplıyor. Bu sıkıştırma, transistörün dikey olarak konumlandırılmasıyla sağlanıyor. CXMT bu yaklaşımı ‘Vertical Surrounded Gate’ (dikey çevresel geçit, VSG) olarak adlandırıyor; kanalın dikey durduğu ve geçidin kanalı sardığı bu yapı, daha güçlü geçit kontrolü ve daha düşük sızıntı akımı vadediyor.
Teknoloji nereden geliyor, şimdi nereye varıyor?
CXMT’nin 4F² üzerindeki çalışmaları yeni değil; şirket 2021, 2023 ve 2025 yıllarında konuyla ilgili araştırma makaleleri yayımladı ve 2023’teki IEDM konferansında 8Gb kapasiteli bir tam dizi örneği sergiledi. Cao’nun açıklamasına göre şirketin bu alanda 300’den fazla yayımlanmış patent ailesi bulunuyor. Sektör genelinde ise DRAM ve CMOS işlemlerinin ayrıştırıldığı, gofret düzeyinde hibrit bağlama teknikleriyle birleştirilen 3D çözümlere doğru bir eğilim gözleniyor; CXMT’nin 2019’da başlayan hibrit bağlama çalışmaları da bu tabloya dahil.
Bunlar da İlginizi Çekebilir
Bu duyuru, CXMT’nin son dönemdeki üretim ve pazar payı atılımlarının ardından geldi. Şirketin beşinci nesil G5 DRAM platformu 20 Eylül’de duyurulmuş ve seri üretime geçmişti. TrendForce verilerine göre CXMT’nin küresel DRAM gelirindeki payı ikinci çeyrekte yüzde 9,5’e yükseldi; bu oran ilk çeyrekte yüzde 7,6 seviyesindeydi ve şirketi dördüncü sıraya taşıdı. Geçtiğimiz Kasım ayında ise CXMT, DDR5-8000 ve LPDDR5X-10667 ürünlerini sergilemişti.
Rakip cephede Samsung, Şubat ayındaki ISSCC 2026 bildirisinde 10nm sınıfı, 16Gb kapasiteli bir 4F² DRAM tasarımı tanıtmıştı; bu tasarım da dikey kanal transistörleri ve bakır hibrit bağlama kullanıyor. Nisan ayında gelen haberlere göre Samsung’un bu teknolojiyle 2028’de seri üretime geçmesi planlanıyordu, ancak sonraki Güney Kore kaynaklı raporlar bu takvimi belirsizleştirdi. SK hynix ise VLSI 2025’te benzer bir dikey geçit platformu planını açıklamıştı. Micron’un konuyla ilgili net bir planı henüz kamuoyuyla paylaşılmadı.
Öte yandan CXMT’nin açıklamasında kapasite, hız, kalıp yoğunluğu, üretim düğümü veya müşteri bilgisi gibi somut teknik detaylar yer almadı; şirket konuyla ilgili resmi bir basın bülteni de yayımlamadı. Bazı Güney Kore kaynaklı raporlar, CXMT’nin ilk ürünlerinin 4F² mimariyi yalnızca kısmen kullanabileceğine ve kararlı hacimli üretimin ayrı bir zorluk olduğuna işaret ediyor. Yıl sonuna sadece birkaç hafta kala, CXMT’nin bu iddiayı somut bir ürünle destekleyip desteklemeyeceği merakla bekleniyor. Türkiye’deki sunucu ve veri merkezi pazarı için bu gelişme, DDR5 bellek fiyatlarında rekabetin artmasına ve tedarik çeşitliliğinin genişlemesine katkı sağlayabilir.
Kaynak: Tom's Hardware
YORUMLAR
(0)